在當今及以后的半導體制造流程當中，濺射靶材無疑是重中之重的原材料，其質(zhì)量和純度對半導體產(chǎn)業(yè)鏈的后續(xù)生產(chǎn)質(zhì)量起著關(guān)鍵性作用。
靶材，特別是高純度濺射靶材應用于電子元器件制造的物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）工藝，是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。
所謂濺射，是制備薄膜材料的主要技術(shù)，也是PVD的一種。它通過在PVD設(shè)備中用離子對目標物進行轟擊，使得靶材中的金屬原子以一定能量逸出，從而在晶圓表面沉積，濺鍍形成金屬薄膜，其中被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。
相比PVD的另一種工藝——真空鍍膜，濺射鍍膜工藝可重復性好、膜厚可控制，可在大面積基板材料上獲得厚度均勻的薄膜，所制備的薄膜具有純度高、致密性好、與基板材料的結(jié)合力強等優(yōu)點，已成為制備薄膜材料的主要技術(shù)。
靶材有多種分類方法，如按化學成份分類，按形狀分類，以及按應用領(lǐng)域分類。本文內(nèi)容主要是按應用領(lǐng)域分類展開的。
靶材應用要求
對靶材用量較大的行業(yè)主要有半導體集成電路、平板顯示器、太陽能電池、磁記錄介質(zhì)、光學器件等（這些就是按應用分類的）。其中，高純度濺射靶材主要用于對材料純度、穩(wěn)定性要求更高的領(lǐng)域，如半導體、平板顯示器、太陽能電池、磁記錄介質(zhì)等。
本文主要討論靶材在半導體當中的應用情況。
在所有應用中，半導體對濺射靶材的技術(shù)要求和純度最 高，價格也最為昂貴，這方面的要求明顯高于平面顯示器、太陽能電池等其他應用領(lǐng)域。半導體芯片對濺射靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標準，若濺射靶材的雜質(zhì)含量過高，形成的薄膜就無法達到使用所要求的電性能，且在濺射過程中易在晶圓上形成微粒，導致電路短路或損壞，將嚴重影響薄膜的性能。
芯片制造對濺射靶材金屬純度的要求最 高，通常要達到99.9995%以上，而平板顯示器、太陽能電池分別要求達到 99.999%、99.995%以上即可。
除了純度之外，芯片對濺射靶材內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等也設(shè)定了極其苛刻的標準，需要掌握生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵技術(shù)，并經(jīng)過長期實踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品。
超高純度金屬及濺射靶材是電子材料的重要組成部分，濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用等環(huán)節(jié)，其中，靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節(jié)是整個濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
